贴片二极管-ASEMI-RS1M贴片二极管

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摘要 : 说到MBR30150PT，我们先简单分绍一下它的参数： 肖特基二极管MBR30150PT，RS1M_贴片二极管，它的两个基本的参数是反向耐压150V，正向整流电流30A，30A对于大多数电子，电器产品来说都算是大电流，因此

说到MBR30150PT，ES1J贴片二极管，我们先简单分绍一下它的参数：

肖特基二极管MBR30150PT，它的两个基本的参数是反向耐压150V，正向整流电流30A，贴片二极管，30A对于大多数电子，电器产品来说都算是大电流，因此30A的电 流量程使得MBR30150PT应用广泛，应用于各种电路控制板，液晶屏电流转换，大功率适配器等等。

在电路设计当中常用的另外两个参数是正向压降和反向漏电流，对于一个电路来说，电路损耗是一定需要考虑的，肖特基二极管MBR30150PT，它的正向压降是0.89V，比普通的二极管1.1V，少了1/4的电路损耗，这个比率是可观，于对一款产品来说，节能在现在代企业当中是一个重要的指标，另一个是参数反向漏电流也是重要的，反向漏电流过来，会使得电路的性能差，严重的可能损坏整个电路，MBR30150PT的反向漏电流地般都控制在10~20UA，这个值是一个比较低的值和电路中的正向电流相比可以忽略不计，

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摘要 : 本节我们要讲的是雪崩二极管和双向触发二极管：雪崩二极管是在稳压管工艺技术基础上发展起来的一种微波功率器件，它在外加电压的作用下可以产生高频振荡。  

本节我们要讲的是雪崩二极管和双向触发二极管：

雪崩二极管（Avalanche Diode）   雪崩二极管是在稳压管工艺技术基础上发展起来的一种微波功率器件，它在外加电压的作用下 可以产生高频振荡。   雪崩二极管利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越半导体晶片需要一定的时间，所以 其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会 出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用微波通信、雷达、遥控、遥测、仪 器仪表等设备中。  双向触发二极管  双向触发二极管也称二端交流器件(DIAC)。 它是一种硅双向电压触发开关器件，当双向触发二极管两端施加的电压超过其击穿电压时，两 端即导通，导通将持续到电流中断或降到器件的较小保持电流才会再次关断。双向触发二极管 通常应用在过压保护电路、移相电路、晶闸管触发电路、定时电路中。 变容二极管  变容二极管(英文名称variable—Cacitance Diode，缩写为VCD)是利用反向偏压来 改变PN结电容量的特殊半导体器件。变容二极管相当于一个容量可变的电容器，它的两个电极 之间的PN结电容大小，随加到变容二极管两端反向电压大小的改变而变化。当加到变容二极管 两端的反向电压增大时，变容二极管的容量减小。由于变容二极管具有这一特性，所以它主要 用于电调谐回路(如彩色电视机的高频头)中，作为一个可以通过电压控制的自动微调电容器。  选用变容二极管时，应着重考虑其工作频率、反向工作电压、正向电流和零偏压结电 容等参数是否符合应用电路的要求，应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的变容二极 管。

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摘要 : 为了除掉损耗区就必须使N型向P型移动和空穴应反向移动。为了达到目的，连接二极管N型一方到电流的负极和P型就连接到电流的正极。这时在N型物质的自由电子会被负极电子排斥和吸

为了除掉损耗区就必须使N型向P型移动和空穴应反向移动。为了达到目的，连接二极管N型一方到电流的负极和P型就连接到电流的正极。这时在N型物质的自由电子会被负极电子排斥和吸引到正极电子。在P型物质中的电子空穴就移向另一方向。当电压在电子之间足够高的时候，在损耗区的电子将会在它的电子空穴中和再次开始自由移动。损耗区消失，US8M贴片二极管，电流流通过二极管。

果尝试使电流向其它方向流动，P型端就边接到电流负极和N型连接到正极，这时电流将不会流动。N型物质的负极电子被吸引到正极电子。P型物质的正极电子空穴被吸引到负极电子。因为电子空穴和电子都向错误的方向移动所以就没有电流流通过汇合处，损耗区增加。