超快恢复二极管-ASEMI-RS1M超快恢复二极管

编辑-LL

摘要 : 肖特基产品应用注意 应小于肖特基二极管的正向额定电流IF.2.应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的高反向击穿电压Vrrm.3.应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖肖特基产品应用注意

　　应小于肖特基二极管的正向额定电流IF.2.应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的高反向击穿电压Vrrm.3.应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的高结温Tjmax.4.对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，肖特基二极管应降额使用。5.对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加抑制和吸收电路。6.肖特基二极管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降VF和反向击穿电压VR、反向漏电流IR都不同。

表1是MBR2040、MBR2060、MBR20100、MBR20150、MBR20200的参数比较。例如：用MBR20100代换MBR2040，虽然MBR20100的反向击穿电压比MBR2040高，RS1M超快恢复二极管，似乎代换没问题。但是MBR20100的正向压降比MBR2040高，假如应用在电脑机箱电源电路中会造成+5V和+12V电压偏离正常值过多，另外功耗会比原来增大。

编辑-LL

摘要 : 快恢复二极管是近几年来问世的新型半导体器件，自它出现以来，ASEMI公司一直密切关注它的发展动向，并且自它出现就一直带着27人的高新技术团队投入研发，直接的把研发成果与市场上快恢

    快恢复二极管是近几年来问世的新型半导体器件，自它出现以来，ASEMI公司一直密切关注它的发展动向，ES1J_超快恢复二极管，并且自它出现就一直带着27人的高新技术团队投入研发，直接的把研发成果与市场上快恢复二极管作对比，终结果就是ASEMI快恢复二极管强势进军整流行业，席卷了整个东南亚市场，为什么，大家一起来看看吧。     快恢复二极管具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。泛用于开关电源、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。

    ASEMI半导体正是看中了其庞大的市场潜力，所以了投资力度，那为何ASEMI快恢复二极管投入市场后迅速阴人瞩目呢？ 原因一：ASEMI半导体抓住了，反向恢复时间是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标，所以ASEMI半导体通过的健鼎和冠魁等和调试设备成功的把快恢复二极管的反向恢复时间控制到仅仅只有35NS。 原因二：快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅

编辑-LL

摘要 : 为了除掉损耗区就必须使N型向P型移动和空穴应反向移动。为了达到目的，US8M超快恢复二极管，连接二极管N型一方到电流的负极和P型就连接到电流的正极。这时在N型物质的自由电子会被负极电子排斥和吸

为了除掉损耗区就必须使N型向P型移动和空穴应反向移动。为了达到目的，连接二极管N型一方到电流的负极和P型就连接到电流的正极。这时在N型物质的自由电子会被负极电子排斥和吸引到正极电子。在P型物质中的电子空穴就移向另一方向。当电压在电子之间足够高的时候，在损耗区的电子将会在它的电子空穴中和再次开始自由移动。损耗区消失，电流流通过二极管。

果尝试使电流向其它方向流动，超快恢复二极管，P型端就边接到电流负极和N型连接到正极，这时电流将不会流动。N型物质的负极电子被吸引到正极电子。P型物质的正极电子空穴被吸引到负极电子。因为电子空穴和电子都向错误的方向移动所以就没有电流流通过汇合处，损耗区增加。