快恢复二极管-1N4007快恢复二极管-ASEMI

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摘要 : 整流二极管烧坏的原因：1.过电压保护措施不力。 2.运行条件恶劣，比如说你的整流二极管长期处于较高的电压下工作，会加速老化，导致击穿损坏。 3.整流二极管规格型号不符。

要解决这个问题，首先我们需要理清楚的是整流二极管烧坏的原因：1.过电压保护措施不力。 2.运行条件恶劣，比如说你的整流二极管长期处于较高的电压下工作，会加速老化，导致击穿损坏。 3.整流二极管规格型号不符。

个问题是关于过电压保护措施不力的，我们ASEMI网站曾经有过一篇文章给大家介绍过关于电路中的保护电路，US1M快恢复二极管，其中就有谈到过电压保护电路：如果开关稳压器所使用的未稳压直流电源的电压如果过高，将导致开关稳压器不能正常工作，US1G快恢复二极管，甚至损坏内部器件。如果是属于这种情况，ASEMI建议您控制电路电压或者加大过电压保护装备。

第2个问题是运行条件恶劣，如果是因为这个问题的话，那么ASEMI建议您可以串联一个小电阻以便在电流时分掉部分压降，增加整流二极管的寿命。

第3个问题是整流二极管规格型号不符，强元芯温馨提醒您，除了外形封装尺寸之外，您购买整流二极管时请千万注意电性参数的选择，我们在这里粗略介绍一下ASEMI整流二极管的命名方式：一般情况下MBR是指肖特基二极管，MUR/MURF是指快恢复二极管，型号中前两个数字代表电流，例如MURF1660是10A600V。

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摘要 : 反向截止：当PN结加上反正电压，即P区接蓄电池负极，N区接蓄电池正极时，PN结处于截止状态，如图所示，试灯没有电流通过，不能点亮。 二极管接反向电压时，1N4007快恢复二极管，存在着一个耐压的问题

反向截止：当PN结加上反正电压，即P区接蓄电池负极，N区接蓄电池正极时，PN结处于截止状态，如图所示，试灯没有电流通过，不能点亮。

二极管接反向电压时，存在着一个耐压的问题：如果加在二极管的反向电压过高，二极管受不了，就会击穿，此时二极管不在处于截止状态，而是处于导通状态。如果我们设定一个击穿电压，快恢复二极管，当达到反向击穿电压时，二极管会击穿导通。如果现在电压又小于了击穿电压，二极管会怎么样？对于普通二极管，此时还会处于导通状态，这意味着二极管已经失去了反向截止的作用了。后面会提到一种稳压二极管，我们设定一个击穿电压，当达到反向击穿电压时，二极管会击穿导通。如果现在电压又小于了击穿电压，二极管恢复到截止状态。

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摘要 : 在自然界中，根据材料的导电能力，我们可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。 常见的导体如铜和铝、常见的绝缘体如橡胶、塑料等。什么是半导体呢？半导体的导电能力介于导体和

在自然界中，根据材料的导电能力，我们可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。 常见的导体如铜和铝、常见的绝缘体如橡胶、塑料等。什么是半导体呢？半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，常见的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge）。到此，请记住两种半导体材料：硅、锗。因为以后你会听说硅管、锗管。意思很，说明这种二极管是用硅或锗作为基材的。

　　半导体有几个特性有必要了解一下：热敏性、光敏性和掺杂性；

　　半导体的热敏性：半导体的导电能力受温度影响较大，当温度升高时，半导体的导电能力大大增强，被称为半导体的热敏性。利用半导体的热敏性可制成热敏元件，如水温传感器、进气温度传感器等。

　　半导体的光敏性：半导体的导体的导电能力随光照的不同而不同。当光照增强时，导电能力增强，称为半导体光敏性。利用光敏性可制成光敏元件。光照传感器。

　　半导体的掺杂性：当在导体中掺入少量杂质，半导体的导电性能增加。

什么是本征半导体、P型半导体和N型半导体，有哪些区别？

　　本征半导体：纯净的半导体称为本征半导体。

　　P型半导体：在本征半导体硅或锗中掺入微量的三价元素硼（B），就形成P型半导体。

　　N型半导体：在本征半导体硅或锗中掺入微量的五价元素磷（P）就形成N型半导体。

PN结和二极管

　　在半导体硅或锗中一部分区域掺入微量的三价元素硼使之成为P型，另一部分区域掺入微量的五价元素磷使之成为N型半导体。在P型和N型半导体的交界处就形成一个PN结。一个PN结就是一个二极管，P区的引线称为阳极，N区的引线称为阴极。