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多晶硅片

单晶硅太阳电池的生产需要消耗大量的高纯硅材料，而制造这些材料工艺复杂，电耗很大，在太阳电池生产总成多晶硅片本中己超二分之一，加之拉制的单晶硅棒呈圆柱状，切片制作太阳电池也是圆片，组成太阳能组件平面利用率低。因此，80年代以来，欧美一些国家投入了多晶硅太阳电池的研制。目前太阳电池使用的多晶硅材料，多半是含有大量单晶颗粒的集合体，多晶小方锭优质商家，或用废次单晶硅料和冶金级硅材料熔化浇铸而成。其工艺过程是选择电阻率为100～300欧姆·厘米的多晶块料或单晶硅头尾料，经破碎，用1：5的氢氟i酸和硝i酸混合液进行适当的腐蚀，然后用去离子水冲洗呈中性，并烘干。用石英坩埚装好多晶硅料，广东多晶小方锭，加入适量硼硅，放入浇铸炉，在真空状态中加热熔化。熔化后应保温约20分钟，然后注入石墨铸模中，

待慢慢凝固冷却后，即得多晶硅锭。这种硅锭可铸成立方体，以便切片加工成方形太阳电池片，可提高材质利用率和方便组装。多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，其光电转换效率约12%左右，稍低于单晶硅太阳电池，但是材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。随着技术得提高，目前多晶硅的转换效率也可以达到14%左右。

5）三氯i氢硅：遇明火强烈燃烧。受高热分解产生有毒的氯i化物气体。与氧化剂发生反应，有燃烧危险。极易挥发，在空气中发烟，遇水或水蒸气能产生热和有毒的腐蚀性烟雾。燃烧(分解)产物:氯i化氢、氧i化硅。

6）四i氯i化硅：受热或遇水分解放热，放出有毒的腐蚀性烟气。

7）氢i氟酸：腐蚀性极强。遇H发泡剂立即燃烧。能与普通金属发生反应，多晶小方锭报价，放出氢i气而与空气形成爆i炸性混合物。

8）硝i酸：具有强氧化性。与易燃物和有机物(如糖、纤维素等)接触会发生剧烈反应，甚至引起燃烧。与碱金属能发生剧烈反应。具有强腐蚀性。

9）氮气：若遇高热，容器内压增大。有开裂和爆i炸的危险。

10）氟i化氢：腐蚀性极强。若遇高热，容器内压增大，多晶小方锭生产，有开裂和爆i炸的危险。

11）氢氧i化钠：本品不燃，具强腐蚀性、强刺激性，可致人体灼伤。

多晶硅（polycrystalline silicon ），单质硅的一种形态。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任

何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料。多晶硅又是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自

动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。从目前国际太阳电池的

发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。