磁珠|新武电子|低频高阻型铁氧体叠层片式磁珠

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在中低频时(1MHz~几十MHz，不同铁氧体材料不同)，磁珠，磁珠的交流损耗逐渐增大而超过其直流损耗，但总体而言R0依然较小，而随着频率增大，感抗wL0逐渐增大，成为影响磁珠阻抗的主要部分;

　在中高频时(几十MHz~几百MHz，不同铁氧体材料不同)，大电流型铁氧体叠层片式磁珠，磁珠交流损耗迅速增大，R成为影响磁珠阻抗的主要部分，与此同时，容抗1/wC0减小，与继续增大的感抗wL0相互抵消，使电抗X增大速度减缓并开始下降，最终在某个频率(自谐频率)下降为0;

　　在甚高频时(大于几百MHz)，磁珠交流损耗逐渐减小，因而总阻抗减小。

不同的铁氧体抑制元件，有不同的zui佳抑制频率范围。通常磁导率越高，片式磁珠排，抑制的频率就越低。此外，铁氧体的体积越大，抑制效果越好。在体积一定时，低频高阻型铁氧体叠层片式磁珠，长而细的形状比短而粗的抑制效果好，内径越小抑制效果也越好。但在有直流或交流偏流的情况下，还存在铁氧体饱和的问题，抑制元件横截面越大，越不易饱和，可承受的偏流越大。

　　EMI吸收磁环/磁珠抑制差模干扰时，通过它的电流值正比于其体积，两者失调造成饱和，降低了元件性能；抑制共模干扰时，将电源的两根线（正负）同时穿过一个磁环，有效信号为差模信号，EMI吸收磁环/磁珠对其没有任何影响，而对于共模信号则会表现出较大的电感量。磁环的使用中还有一个较好的方法是让穿过的磁环的导线反复绕几下，以增加电感量。可以根据它对电磁干扰的抑制原理，合理使用它的抑制作用。