鼎芯实业(深圳)有限公司
会员级别商盟会员 第1年
信誉指数30
注册时间2018-02-13
联 系 人女士
联系电话13632557728
主营产品电源IC,整流桥,肖特基,快恢复全系列
经营模式
编辑人:MM
摘要 : ASEMI肖特基二极管MBR40200PT一款大功率肖特基,这种封装,体积大,背后带有散热片,散热性能非常好,是工业产品应用中非常值得选购的一类产品。
MBR40200PT肖特基二极管 台湾ASEMI品牌 原装进口
型号:MBR40200PT 品牌:ASEMI 封装:TO-247/3P
特性:肖特基二极管 ★电性参数:40A,200V ★芯片材质:SI
★正向电流(Io):40A ★芯片个数:2 ★正向电压(VF):0.83V
★芯片尺寸:130MIL ★浪涌电流Ifsm:400A ★是否进口:是
★漏电流(Ir):10UA ★工作温度:-50~125 ★恢复时间(Trr):<5nS
MBR40200PT是一款较大功率的肖特基二极管,TO-247封装,这种封装,体积大,背后带有散热片,散热性能非常好,且三个脚之间,脚位距离较宽,电性好,性能比较稳定,即使在潮湿的环境下也不易漏电,这种体积的产品是工业产品应用中非常值得选购的一类产品。
在关注MBR40200PT的同时,肖特基,还需要关注其另外三个参数:(1)、正向压降;(2)、反向漏电流;(3)、正向峰值浪涌电流,肖特基二极管参数,其中正向压降对整个电路的消耗有很大影响,而肖特基二极管的压降普遍要比普通二极管要低近1/3,肖特基二极管检测好坏,大大减少了电路的浪费,反向漏电流的产生是电路中反向电压形成的,二极管属于半导体,因为反向电压的存在,不可避免的电路中会有反向电流的存在,但实际电路中反向电流是不需要存在的。
编辑人:MM
摘要 : 低压降肖特基二极工艺技术是怎么样的呢?看看ASEMI工程为您解读新型工艺的分解,台湾ASEMI专业专注12年,采用第三代低压降肖特基二极管芯片,性能更稳定。
摘要:每一代的低压降肖特基二极管采用着不同LOW VF肖特基芯片制造和成品封装工艺,肖特基二极管型号大全,那么产品更新换代中又有着哪些同工异曲呢?ASEMI工程师为您分析。
矫矫不群的ASEMI品牌低压降肖特基二极管
首先,我们ASEMI品牌的低压降肖特基二极管,历经五年开发,目前已拥有三代LOW VF SKY。该产品主要专注于对电源转换效率,而达到超低VF值特性和快速开关特性,能助您电源产品提升电源开关效率及节能的要求,ASEMI对低压降肖特基二极管每一代都有着新突破的技术更新。
Low VF SKY(低压降肖特基二极管)平面MOS工艺分解(第二代)ASEMI低压降肖特基第二代,采用平面MOS工艺,将MOSFET制造工艺融入于肖特基芯片制程中,增加芯片晶胞结构的密度,从而克服传统肖特基在VF和IR在参数上的平衡问题,即保持了传统肖特基的优点,又解决了传统肖特基在漏电设计上做遇到的屏障。
ASEMI品牌五年来对该技术专研,如今又有着何“芯”突破呢?下篇将为大家介绍Low VF SKY(低压降肖特基)第三代TRENCH工艺分解。
鼎芯实业(深圳)有限公司
深圳市福田区福虹路9号世贸广场A座38层
0755-83239557